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制备了Al0.1Ga0.9N/GaN异质结P-I-N结构可见盲正照射紫外探测器。用能量为0.8MeV的电子对器件依次进行注量为5×10^14,5×10^15和5×10^16n/cm2的辐照。通过测量辐照前后器件的I-V曲线和光谱响应曲线,讨论了不同注量的电子辐照对Al0.1Ga0.9N/GaN异质结P-I-N器件性能的影响。实验表明,小注量的电子辐照对器件的反向暗电流影响不大,当电子注量≥5×10^16n/cm^2时才使器件的暗电流增大一个数量级。为了分析器件的辐照