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S波段单片低噪声放大器采用了0.5μm φ3英寸(76.2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,由三级自偏电路构成,单电源(+5V)供电.对3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后,随机抽取一定数量的样品装架测量,并对放大器进行了增益和相位的统计.统计表明:在S波段带宽300MHz范围内,增益在24.5~26dB范围内,相位线性度小于1°,相位偏差±7°,噪声系数最大1.4dB,输入输出驻波最大1.4,1dB压缩输出功率大于10.5dBm,另外,还对放大器进行了高温、低温环境