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沿Si的（100）面注入He离子，能量为30keV、剂量为5×10^15ions／cm^2。注入后样品切成几块，在真空炉中分别做退火处理，退火温度从600℃到1000℃，退火时间均为30min。利用原子力显微镜研究了各个样品表面形貌的演化。发现样品表面形貌与退火温度相关联。假设在气泡中He原子与空位的比值很高，导致样品内部存在高压的He泡，从而使样品表面形貌发生变化。探讨了在Si中He泡随退火温度的演化和He原子在材料中的释放机制及其对表面的影响。