【摘 要】
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本文用四探针法测量了在不同剂量和不同能量下的N+注入Si后的薄层电阻率及其退火效应,结果表明,N+注入Si的退火特性曲线为“W”形,曲线中的两个波谷是两个好的退火区:其中间
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本文用四探针法测量了在不同剂量和不同能量下的N+注入Si后的薄层电阻率及其退火效应,结果表明,N+注入Si的退火特性曲线为“W”形,曲线中的两个波谷是两个好的退火区:其中间的波峰是逆退火区,在退火温度为1080℃附近时,当注入剂量为1×1014N+/cm2,注入能量为170kev和注入剂量为5×1014N+/cm2注入能量为160 kev时,薄层电阻率都有急剧增大的趋势,最后,本文对上述这些实验结果进行了初步的分析和讨论。
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