【摘 要】
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氮化硼(BN)作为宽带隙材料具有优异的物理性质和良好的化学惰性,是制作高可靠性器件与电路的理想电子材料之一。与碳纳米管的电子结构明显依赖于管径与螺旋度等因素不同,BN纳米
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氮化硼(BN)作为宽带隙材料具有优异的物理性质和良好的化学惰性,是制作高可靠性器件与电路的理想电子材料之一。与碳纳米管的电子结构明显依赖于管径与螺旋度等因素不同,BN纳米管通常表现出稳定一致的电学特性,在未来的纳电子学领域有着非常诱人的应用前景。而实现BN纳米管的掺杂,诱导其半导体特性,是实现该材料在纳电子学领域应用的关键,也是研究者普遍感兴趣和追求目标。
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