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通过控制制备工艺条件和充电参数,利用相应条件下样品的等温表面电位衰减,开路热刺激放电电流谱等,考察了利用溶胶-凝胶(sol-gel)方法制备的Si基多孔SiO2薄膜的驻极体性能,分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系,同时利用Gauss拟合及初始上升法对薄膜驻极体的电荷陷阱深度进行了估算。实验结果表明,反应物中水的含量对薄膜驻极体的陷阱分布具有调节作用;估算出负电晕充电SiO2薄膜驻极体电荷的活化能为0.3eV和1.0eV ;环境湿度对电荷储存稳定性有一定的影响;降低栅压可以提高SiO2薄膜驻极体的