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反响的通道二极管(RTD ) 和高电子活动性晶体管(HEMT ) 的整体的集成是一个重要发展方向超离频速度集成电路。一种 top-RTD 和 bottom-HEMT 材料结构是通过分子的横梁取向附生的 InP 底层上的 epitaxied。基于湿化学蚀刻，金属起飞和空气桥互联技术， RTD 和 HEMT 同时被制作。RTD 的 peak-to-valley 电流比率是 7.7，山峰电压是在房间温度的 0.33 V。拧离开电压是 ? 0.5 V 和当前的获得切割频率是为 1.0 m 门长度弄空模式 HEMT