2. 您的位置
3. 首页
4. 期刊论文
5. 高压pLEDMOS器件在不同应力条件下导通电阻的衰退及改进方法

高压pLEDMOS器件在不同应力条件下导通电阻的衰退及改进方法

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gu22540

【摘 要】

：

实验测试结果揭示高压pLEDMOS器件在不同的应力条件下,导通电阻的衰退结果不同,半导体器件专业软件MEDICI模拟结果表明Si/SiO2表面的陷阱产生以及热电子的注入和俘获导致了高

【作 者】

：

孙伟锋 吴虹 时龙兴 易扬波 李海松 

【机 构】

：

东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年2期

【关键词】

：

p型横向延伸漏金属氧化物半导体管 导通电阻衰退 热电子注入和俘获 厚栅氧 pLEDMOS  on-resistance degradation  hot ele 

【基金项目】

：

国家高技术研究发展计划资助项目（批准号：2004AA1Z1060）

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文 赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

实验测试结果揭示高压pLEDMOS器件在不同的应力条件下,导通电阻的衰退结果不同,半导体器件专业软件MEDICI模拟结果表明Si/SiO2表面的陷阱产生以及热电子的注入和俘获导致了高压pLEDMOS器件在不同的应力条件下产生不同的导通电阻衰退.文中同时提出了一种改进方法：用场氧代替厚栅氧作为高压pLEDMOS器件的栅氧,MEDICI模拟结果显示该方法可以明显降低/减缓高压pLEDMOS导通电阻的衰退.

其他文献

浅析中职计算机专业教学中学生实践能力的提高

在我国，职业教育是教育体系当中非常重要的组成部分。近年来，随着我国社会经济文化各领域的繁荣发展，职业教育所发挥的社会角色与作用也空前提高，国家对于职业教育的重视程度也同

期刊

中职计算机专业实践能力

如何激发中职生学习计算机应用基础的兴趣

计算机应用基础课程作为一门中等职业学校各专业必修的公共基础课,其重要性越来越受到关注。但传统的教学模式往往让学生对上计算机应用基础课敬而远之。如何才能激发学生的

期刊

中职生计算机应用基础积极性兴趣

量子阱混杂单片集成宽可调谐激光器与半导体光放大器

采用量子阱方法集成半导体光放大器的取样光栅可调谐激光器，这在国内尚属首次．该器件波长调谐范围可达33nm，在放大器注入50mA电流时，输出光功率可达10mW，同时边模抑制比可达35dB以

期刊

可调谐激光器半导体光放大器离子注入量子阱混杂tunable laser semiconductor-optical-amplifierion im

优化班级管理,提升育人品质——小学班主任班级管理方法经验之我见

随着我国教育体制改革进程的不断推进,为小学班主任的管理工作提出了更高的要求。新课程标准中要求班主任必须转变工作理念并改变传统的班级管理模式,在更大程度上适应素质教

期刊

优化班级管理提升育人品质小学班主任班级管理方法经验

血糖与尿糖的关系及其临床意义

本文对190例口服葡萄糖耐量试验(OGTT)各时相的血糖与尿糖半定量值进行了比较;并对85例尿糖与血糖变化关系进行了动态观察。提出:用尿糖来筛查糖尿病和判断糖尿病的控制情况

期刊

尿糖血糖糖尿病诊断

营造良好师生关系氛围打造优质班集体

以诚信和平等作基石,以拉近师生之间距离为途径,采用针对性的有效策略,营造良好的师生关系氛围,助力打造优质班集体。

期刊

营造氛围优质班集体

发展民族高等教育 迎接国家经济发展“重心”西移

发展民族高等教育迎接国家经济发展“重心”西移马麒麟在２１世纪即将来临之际，把西部的民族教育放在怎样的发展地位，这是关系到新世纪国家经济发展“重心”西移的关键。一、我们应

期刊

民族高等教育国家经济发展西部少数民族地区西北少数民族地区劳动力素质西部民族地区重心专业设置专业改造民族高校

高校微考模式探析

微考模式是一种面向过程的考核模式，能够解决目前高校传统期中考试引发的问题。文章对高校微考模式进行探析，微考模式在用时、题量、规模等方面体现的“微小”特征，对教与学两个

期刊

微考模式课程考核微信企业号micro test mode curriculum assessment WeChat corporate number

PBL教学模式在高师《幼儿科学教育》课程中的应用研究

PBL教学模式是一种以学生为主体, 以精心设计的结构不良的问题情境为载体, 注重学生的合作学习、 自主学习、 探究学习, 能有效提升学生问题探究能力、 合作学习能力、 批判

期刊

PBL幼儿科学教育应用成效

一个电压接近1V 10ppm／℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源

介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源．由于采用电流模结构，带隙基准源的最低电源电压为900mV．通过VEB线性化补偿技术，带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm／℃．

期刊

CMOS带隙基准源低电源电压曲率补偿CMOS bandgap referencelow voltage curvature compensation