采用溅射法制备SrGa2S4:Ce薄膜

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采用RF溅射技术制备了SrGa2S4:Ce薄膜,并获得了发射波长为446nm的纯蓝色发光,其CIE色坐标为x=0.14,y=0.09,研究了SrGa2S4:Ce薄膜的激发谱和发射光谱,采用XRD测定了薄膜的晶体结构,采用SEM观察了薄膜的表面形貌,同时着重研究了后退火气氛,温度和时间对薄膜发光特性的影响。
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