【摘 要】
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通过反应直流磁控溅射法在Si片表面沉积氮化钽（Ta N）电阻薄膜,并在空气中进行退火,系统研究了退火温度对薄膜的物相组成、微观形貌、电阻性能的影响。结合X射线衍射（XRD）物相分析
【基金项目】
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广州市珠江科技新星项目(201610010049)
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通过反应直流磁控溅射法在Si片表面沉积氮化钽（Ta N）电阻薄膜,并在空气中进行退火,系统研究了退火温度对薄膜的物相组成、微观形貌、电阻性能的影响。结合X射线衍射（XRD）物相分析、扫描电子显微镜（SEM）形貌分析及电阻性能测试结果,Ta N薄膜最佳退火温度为400～450℃,在此温度范围内退火,可制备出与硅基底附着良好、较小电阻温度系数（TCR,≤±100×10^（-6）/℃）、2000 h老化电阻变化率（ACR）约0.43%的高稳定Ta N薄膜电阻器。
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