化学表面处理对热生长氧化形成的SiO2驻极体电荷寿命的影响

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以实验结果为依据研究了化学表面处理对SiO_2薄膜驻极体内电荷储存稳定性的影响。得知用HMDS或DCDMS等有机试剂进行的化学表面处理将在SiO_2驻极体表面形成一个疏水的保护层。通常情况下,它将起到防止外界环境中的水吸附而形成的表面导电结构,对改善这一驻极体薄膜的电荷储存稳定性起到显著的作用;伴随着驻极体内长久电荷的捕获储存,在驻极体内发生的电化学反应将有水分子生成,而用化学表面处理后形成的疏水保护层有时也会阻止驻极体内部过剩的水分子向外扩散,造成用化学表面处理后驻极体内的电荷较快衰减这一反常现象的发生
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