高温炭化对聚酰亚胺(PI)薄膜结构与性能的影响

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研究了在氮气流保护下,聚酰亚胺薄膜在高温炭化过程中结构和性能的变化规律。用X射线衍射和元素分析对在不同温度炭化形成的样品的微晶结构和元素组成进行了研究,并对其导电性能进行了表征。研究结果表明,在1000~1600℃的温度区间内,随着炭化温度的升高,材料的内部结构由杂乱无序的类石墨结构逐渐向有序石墨结构转变,同时碳元素的含量不断升高,氮元素和氧元素的含量不断下降,材料中残留的氮、氧元素进一步脱除。由于有序的石墨态结构的逐渐形成,随着炭化温度的升高,样品的导电性能也不断提高。
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