【摘 要】
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为了制备耐高温肖特基势垒,已采用RF或DC磁控溅射法在n~+n型GaAs衬底上溅射淀积钨(W)膜。这种膜具有良好的力学及电学性质。膜的可蚀性及肖特基势垒的热稳定性能够满足自对准
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所
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为了制备耐高温肖特基势垒,已采用RF或DC磁控溅射法在n~+n型GaAs衬底上溅射淀积钨(W)膜。这种膜具有良好的力学及电学性质。膜的可蚀性及肖特基势垒的热稳定性能够满足自对准栅IC的要求。新颖的自对准结构及用W栅制成的自对准离子注入GaAs MESFET初步特性能说明W栅工艺适用于GaAs IC。
To produce a high temperature Schottky barrier, a tungsten (W) film has been sputter deposited on n ~ + n-type GaAs substrates using RF or DC magnetron sputtering. This film has good mechanical and electrical properties. The erodibility of the film and the thermal stability of the Schottky barrier satisfy the requirements of self-aligned gate ICs. Novel self-aligned structures and self-aligned ion-implanted GaAs MESFETs fabricated with a W-gate feature demonstrate the W-gate process for GaAs ICs.
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