【摘 要】
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采用第一性原理计算方法,通过改变Zn1-xBexO合金中Be的浓度及其掺杂位型,研究N在Zn1-xBexO合金中的形成能和受主离化能,分析了p型导电的可能性。结果表明：Be-N共掺杂时,N优先
【机 构】
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南阳师范学院物理与电子工程学院,大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室
【基金项目】
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NSFC-河南人才培养联合基金（U1304612,U1404608）, 南阳师范学院科学研究基金（ZX2013019,ZX2012018）
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采用第一性原理计算方法,通过改变Zn1-xBexO合金中Be的浓度及其掺杂位型,研究N在Zn1-xBexO合金中的形成能和受主离化能,分析了p型导电的可能性。结果表明：Be-N共掺杂时,N优先占据周围没有Be的O位置,每增加一个Be近邻掺杂原子,NO的形成能增加约0.2 eV。当近邻Be原子数为2和3时,NO的受主离化能比较低。Be浓度为11at%时,具有2个近邻Be原子的NO的受主离化能降低至0.1 eV左右,可以认为是浅受主,Be-N共掺ZnO才可能呈p型导电。考虑NO在室温条件下的受主离化率和NO形
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