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分析了缺陷地结构（DGS）的基本理论及其等效模型，提出了一种新型的缺陷地结构微带线定向耦合器的设计方法，同时分析了该缺陷地结构对耦合器耦合度的影响。仿真和实验结果表明，该缺陷地结构能很好的增强耦合器的耦合_度。
新型缺陷地结构定向耦合器的耦合度研究
【摘 要】
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分析了缺陷地结构（DGS）的基本理论及其等效模型，提出了一种新型的缺陷地结构微带线定向耦合器的设计方法，同时分析了该缺陷地结构对耦合器耦合度的影响。仿真和实验结果表明，该缺
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【出 处】
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物联网技术
【发表日期】
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2012年3期
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