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利用热退火法从非晶硅薄膜中生长纳米硅粒
利用热退火法从非晶硅薄膜中生长纳米硅粒
来源 :量子电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bartech
【摘 要】
:
报道了一种从氢化非晶硅薄膜中生长纳米硅粒的方法。氢化非晶硅薄膜经过不同条件的热退火处理后,用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行了分析。实验结果表明:在快速升温条件下
【作 者】
:
薛清
【机 构】
:
淮海工学院数理科学系
【出 处】
:
量子电子学报
【发表日期】
:
2006年4期
【关键词】
:
光电子学
纳米硅
快速热退火
拉曼散射
optoelectronics
quantum optics
nanocrystalline silicon
ra
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报道了一种从氢化非晶硅薄膜中生长纳米硅粒的方法。氢化非晶硅薄膜经过不同条件的热退火处理后,用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行了分析。实验结果表明:在快速升温条件下所形成的nc-Si在薄膜中的分布是随机均匀的,直径在1.6-15nm范围内,硅粒大小随退火过程中升温快慢而变化。
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