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采用分子束外延(MBE)技术生长InGaAsSb多量子阱结构,利用光致发光光谱对材料的生长特性进行了研究.研究了衬底温度对材料激发光谱强度的影响,探索了发光波长与有源层量子阱厚度的关系.发现外延生长时衬底温度对材料的质量有重要影响；在一定范围内,量子阱厚度不断增加会导致材料的光致发光波长增加.
InGaAsSb量子阱的MBE生长和光致发光特性研究
【摘 要】
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采用分子束外延(MBE)技术生长InGaAsSb多量子阱结构,利用光致发光光谱对材料的生长特性进行了研究.研究了衬底温度对材料激发光谱强度的影响,探索了发光波长与有源层量子阱厚
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;总装备部装甲兵驻长春地区军事代表室,长春,130103
【出 处】
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光散射学报
【发表日期】
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2004年期
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