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,Comparison of GaN/AlGaN/AlN/GaN HEMTs Grown on Sapphire with Fe-Modulation-Doped and Unintentionall
【机 构】
：
School of Electronic Engineering, Xi’an University of Posts and Telecommunications, Xi’an 710121“,”K
【出 处】
：
中国物理快报（英文版）
【发表日期】
：
2016年11期
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