论文部分内容阅读
六硼化镧（LaB6）场发射尖锥阵列的刻蚀工艺是制备LaB6场发射阵列阴极的关键。在（111）面单晶LaB6基片上，用等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅层做掩膜，光刻后采用电化学腐蚀方法对基片进行刻蚀，得到具有一定高度的LaB6尖锥场发射阵列。讨论了单晶LaB6的电化学腐蚀机理。改变各种电化学腐蚀参数，包括电解液成分、电解液浓度、阳极所加电压，用电子扫描显微镜观察样品形貌。结果发现H3PO4是刻蚀单晶LaB6的理想电解液，它克服了过去电化学实验中经常遇到的尖锥各向异性问题。随着电解液浓度或阳极电压的增大，