阴极缓冲层对m-MTDATA/BAlq有机紫外光探测器性能的影响

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制备了有机紫外光探测器(OUV-PD),器件结构为ITO/m-MTDATA(30nm)/m-MTDATA:BAlq(40~60nm,1∶1)/BAlq(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),并研究了施加Liq、TPBi、Bphen和Zn(4-MeBTZ)2为阴极缓冲层时对器件性能的影响。实验结果表明,OUV-PD光响应与阴极缓冲层厚度和电子传输性能紧密相关,在1.05mW/cm2的波长为365nm UV光照射下,响应度最大值分别达到218mA/W、247mA/W、305mA/W和283mA/W。 The organic UV detector (OUV-PD) was prepared and the device structure was ITO / m-MTDATA (30nm) / m- MTDATA: BAlq (40-60nm, 1: 1) Al (100nm). The effects of Liq, TPBi, Bphen and Zn (4-MeBTZ) 2 on the performance of the device were studied. The experimental results show that the response of OUV-PD is closely related to the thickness of cathode buffer layer and the electron transport properties. Under the irradiation of 1.05 mW / cm2 of 365 nm UV light, the maximum responsivities are 218mA / W, 247mA / W and 305mA / W and 283mA / W.
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