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根据单电子现象的半经典理论,采用Monte Carlo方法,对三种SED电路进行模拟,结果发现,多岛单电子电路具有较强的抑制背景电荷极化效应的能力.
随机背景极化电荷对单电子电路影响的分析
【摘 要】
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根据单电子现象的半经典理论,采用Monte Carlo方法,对三种SED电路进行模拟,结果发现,多岛单电子电路具有较强的抑制背景电荷极化效应的能力.
【机 构】
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东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2003年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金，教育部优秀青年教师资助计划
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