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<正>金属-氧化物-半导体结构(MOS)是目前电子器件中最重要的器件之一,现代电子技术可以说是建立在MOS器件之上的。随着集成电路技术的不断发展,MOS技术到达了一个关键的转折点.由于器件尺寸不断缩小,导致MOS中氧化层厚度相应减小,电子的隧道穿透效应逐渐显现出来,引起的棚极-沟
用于45nm及以下集成电路工艺的高介电常数绝缘栅材料
【摘 要】
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<正>金属-氧化物-半导体结构(MOS)是目前电子器件中最重要的器件之一,现代电子技术可以说是建立在MOS器件之上的。随着集成电路技术的不断发展,MOS技术到达了一个关键的转折
【机 构】
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杭州电子科技大学电子信息学院,浙江大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
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无机材料学报
【发表日期】
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2008年04期
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