一种高压ns级脉冲形成电路

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分析了脉冲形成电路参数对脉冲上升时间的影响,设计了一种集脉冲电容器,脉冲整形器,电容分压器和匹配负载为一体的ns级脉冲形成电路。该电路采用同轴结构,波阻抗为50Ω,电容分压器的分压比为932,频率响应高达1GHz。脉冲形成电路能产生脉冲前沿为2ns,后沿为1.8ns、底宽为5.6ns、峰值为71KV的高压窄脉冲。
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