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<正>南京电子器件研究所成功制备了一种W波段的GaN三级放大电路。采用电子束直写工艺制备了栅长为100 nm的AlGaN/GaN T型栅,其结构见图1。直流测试最大电流密度为1.3 A/mm,最大跨导为430 mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为90 GHz及210 GHz（如图2所示）。采用该工艺制备的三级放大电路在75-110 GHz进行测试,其最大小信号增益为21 dB（如图3所示）。该单片在90GHz处的最大输出功率可达1.117 W（如图4所示）,功率附加效率为13%,功