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提出了部分耗尽SOI MOSFET物理模型，SOI MOSFET可以看作体硅MOSFET和双极晶体管的结合，模型通过详细地分析SOI器件在各工作区域的工作机理得出，并提取出了相应的模型参数。用本模型得出的模拟数据与器件模拟数据进行了对比，取得了很好的一致性。
基于BSIM3V3的部分耗尽SOI MOSFET解析模型
【摘 要】
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提出了部分耗尽SOI MOSFET物理模型，SOI MOSFET可以看作体硅MOSFET和双极晶体管的结合，模型通过详细地分析SOI器件在各工作区域的工作机理得出，并提取出了相应的模型参数。用本
【机 构】
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中国科学院微电子研究所
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2006年1期
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