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采用射频磁控溅射法制备了CdTe／ZnTe多层薄膜，并在制备单层CdTe薄膜和ZnTe薄膜的基础上，研究了衬底温度对CdTe／ZnTe多层薄膜性质的影响；通过XRD和透过谱、吸收谱的分析，对其结构进行了研究．结果表明在185℃下制备的CdTe／ZnTe多层膜中，CdTe和ZnTe均沿（111）晶面择优取向生长，尤其是ZnTe沿（111）晶面择优取向明显，衍射强度极大．通过比较不同衬底温度，发现185℃生长的样品衍射峰强度最高，成膜质量较好；通过吸收谱图分析，185℃下沉积的样品对光有较好的吸收性．