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器件终端处的界面电荷密度是一个影响场限制环终端增压效果的敏感参数，尚无准确的测量方法，本文用数值模拟方法算得了环电位的理论曲线，用实验测量了环电位实验曲线，在此基础上提出了一种通过拟合理论和实验环电位变化曲线而得到实际器件终端处界面电荷密度的方法，可成为考核设计，指导工艺的有用手段。
利用环电位来研究器件结构参数
【摘 要】
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器件终端处的界面电荷密度是一个影响场限制环终端增压效果的敏感参数，尚无准确的测量方法，本文用数值模拟方法算得了环电位的理论曲线，用实验测量了环电位实验曲线，在此基础上提
【机 构】
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上海大学通信与信息工程学院电子物理研究所
【出 处】
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上海大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1998年3期
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