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讨论了密封中子发生器中二次电子流的产生机制，介绍了几种不同的二次电子流的抑制方法。针对不同的抑制方法进行了粒子模拟实验，结果表明，在直接利用法拉第圆筒形状的加速电极抑制的情况下，只能抑制住部分二次电子，一部分电子还可以通过加速孔进入加速空间形成二次电子流，二次电子流约占靶面二次电子发射电流的1／5。在法拉第圆筒状加速电极的基础上加上电场抑制，能很好地抑制二次电子流的产生，当偏压为300V时，二次电子电流近似为零。