【摘 要】
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针对传统去离子水和高纯氮气组合的两相流清洗方法对CMOS图像传感器上颗粒污染物清洗良率不足的问题,采用了一种喷嘴式超临界二氧化碳（SSCO2）清洗的方法来清洗CMOS图像传感器。
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院大学,集成电路测试技术北京市重点实验室,
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针对传统去离子水和高纯氮气组合的两相流清洗方法对CMOS图像传感器上颗粒污染物清洗良率不足的问题,采用了一种喷嘴式超临界二氧化碳（SSCO2）清洗的方法来清洗CMOS图像传感器。相比传统的水气两相流清洗方法,本方法利用了SSCO2的表面张力小、溶解度高和扩散能力强等优点。实验结果显示,喷嘴式超SSCO2清洗方法对CMOS图像传感器的像素点表面以及像素点之间直径大于300 nm的颗粒污染物可以进行有效清除,相对于传统的两相流清洗方法其清洗效果有明显的提高。该实验表明这种清洗方式在CMOS图像传感器清洗方面具有良好的应用前景。
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