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本文介绍了铌酸锂电光调制器的设计和实验结果，由于考虑了适当的结构及加工工艺，因而获得了低驱动电压和高消光比的优良特性。在1．5毫瓦、1．5毫弧度发散角的He-Ne激光下测试，单晶片铌酸锂调制器的半波电压为360伏，消光比达800：1；双晶片铌酸锂调制器的半波电压为180伏，消光比达500：1。
铌酸锂横向电光调制器
【摘 要】
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本文介绍了铌酸锂电光调制器的设计和实验结果，由于考虑了适当的结构及加工工艺，因而获得了低驱动电压和高消光比的优良特性。在1．5毫瓦、1．5毫弧度发散角的He-Ne激光下测试，单晶
【机 构】
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上海激光所三室电光组
【出 处】
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四川激光
【发表日期】
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1981年A02期
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