俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管效率衰退的影响

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wangjuan860405
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研究了俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管(DUV LED)效率衰退的影响。结果表明,当俄歇复合系数从10-32 cm6·s-1增大到10-30 cm6·s-1时,俄歇复合对效率衰退的影响很小。当俄歇复合系数增大到10-29 cm6·s-1时,俄歇复合对效率衰退有显著的影响。然而,对于AlGaN材料而
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