三元合金锗硅碳的器件应用研究

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碳的加入改进了锗硅材料的性能 ,同时也为半导体器件的研制开发创造了条件 ,增加了硅基器件设计的灵活性。本文介绍了 Si Ge C材料在硅基器件方面的应用 ,包括光探测器、MOS场效应晶体管、HBT等。 The addition of carbon improves the performance of the silicon germanium material and at the same time creates the conditions for the research and development of the semiconductor devices and increases the flexibility of silicon-based device design. This article describes the use of SiGe C materials in silicon-based devices, including photodetectors, MOS field effect transistors, HBTs, and more.
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