【摘 要】
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介绍在光刻中使用２４８ｎｍ和１９３ｎｍ波长的一种新颖作图装置。设计该装置以抗蚀剂材料为其特征，应用在先进的存储器（６４Ｍｂ、２５６Ｍｂ）和高密度双极ＩＣ生产中。随着应用于图形中ＤＵＶ灵敏的光致抗蚀剂的工艺情况，将描述
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介绍在光刻中使用２４８ｎｍ和１９３ｎｍ波长的一种新颖作图装置。设计该装置以抗蚀剂材料为其特征，应用在先进的存储器（６４Ｍｂ、２５６Ｍｂ）和高密度双极ＩＣ生产中。随着应用于图形中ＤＵＶ灵敏的光致抗蚀剂的工艺情况，将描述其作图装置和它的光路系统、作图片子的ＳＥＭ图像，并讨论进一步提高ＤＵＶ图形分辨率的方法。
A novel mapping device using 248 nm and 193 nm wavelengths in lithography is described. Design The device features a resist material for use in advanced memory (64Mb, 256Mb) and high-density bipolar ICs. Along with the process conditions applied to DUV-sensitive photoresists in graphics, its mapping device and its light path system will be described as a SEM image of the filming and methods of further improving the resolution of DUV graphics will be discussed.
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