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半导体断路开关是一种新型固体开关器件，具有反向恢复电流高速关断的特性。描述了半导体断路开关器件的工作原理、制造工艺和测试方法。通过杂质扩散工艺实验，试制了不同p区扩散深度和不同基区宽度的半导体断路开关二极管，利用高能电子束辐照方法改变器件中的少子寿命。最后，对试制的不同结构器件的正向导通、反向恢复等特性进行了测试，试制样品具有较低的正向导通峰值压降和较高的反向关断速度。实验表明，通过控制基区宽度和少子寿命，可以得到反向恢复特性很好的半导体断路开关器件。