【摘 要】
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锑化铟单晶是制备3μm～5μm红外探测器的重要材料。为了适应红外焦平面探测器大规模化发展的趋势,我们开展了高质量3in锑化铟单晶的生长研究。本文解决了大直径锑化铟单晶生长
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锑化铟单晶是制备3μm～5μm红外探测器的重要材料。为了适应红外焦平面探测器大规模化发展的趋势,我们开展了高质量3in锑化铟单晶的生长研究。本文解决了大直径锑化铟单晶生长的关键技术,讨论了3in锑化铟单晶生长过程中的多晶原料提纯问题,以及单晶电性能参数控制、位错密度控制和直径控制问题,并采用Czochralski法成功地在国内首次生长出直径为3in的锑化铟单晶。其中,直径大于3in的单晶长度超过100mm,单晶的位错密度小于100cm~（-2）。试验结果表明：相对于其他半导体单晶生长位错密度沿晶棒增大的分
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