【摘 要】
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利用离子注入的方法在Si（111）衬底上制备出了具有六方结构的稀土硅化物YSi2埋层，并对其进行了结构及电学特性的研究。钇注入剂量为1×10^18Y^+cm^-2，注入能量为100keV，利用X射
【基金项目】
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国家自然科学基金（NSFC-69806005）
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利用离子注入的方法在Si（111）衬底上制备出了具有六方结构的稀土硅化物YSi2埋层，并对其进行了结构及电学特性的研究。钇注入剂量为1×10^18Y^+cm^-2，注入能量为100keV，利用X射线衍射（XRD）及卢瑟福背散射技术（RBS）得到了注入样品的结构相。结果显示，在对衬底Si进行Y离子注入的过程中就已经形成了YSi2相，在随后的红外光辐射退火过程中，样品呈现出了取向生长的趋势。利用RBS的测量分析注入了层中的Y离子在样品不同深度处的浓度分布。利用四探针法对刚注放的样品进行了红外光辐射照
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