【摘 要】
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提出一种新型的四路正交混频器,基于该正交混频器设计了一种四路正交相位插值器.在TSMC 40 nm CMOS工艺下的仿真结果表明,在相同的电源电压和仿真环境下,设计的相位插值器与
【机 构】
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中国科学技术大学电子科学技术系,合肥,230027;中国科学技术大学信息科学实验中心,合肥,230027
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提出一种新型的四路正交混频器,基于该正交混频器设计了一种四路正交相位插值器.在TSMC 40 nm CMOS工艺下的仿真结果表明,在相同的电源电压和仿真环境下,设计的相位插值器与传统结构相比,其步长、积分非线性和微分非线性等指标相近,其中混频器的功耗降低9.5％.在性能相近的条件下,设计的相位插值器的功耗优于传统结构.在更低的电源电压下,基于该混频器的相位插值器将有更好的应用前景.
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