慢正电子探针研究离子注入硅(100)产生的缺陷及其退火行火

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用慢正电子探针分别检测了P^注入和P2^+注入Si(100)的两组样品,与基底样品相比较,注入样品中的缺陷导致了正电子湮没参数的显著变化。由湮没线形参数的变化拟合了两组样品注入损伤的深度分布,陷对正电子的捕获系数,讨论了P^+和P2^+注入损伤缺陷的差别和它们在退火过程中的不同行为。
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