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对大功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）的开关特性、驱动要求进行了分析和讨论，介绍了一种高频条件下实用的IGBT驱动电路，并通过理论分析和仿真波形说明该驱动电路的有效性和适用性。
高频条件下IGBT驱动电路的设计与仿嘉
【摘 要】
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对大功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）的开关特性、驱动要求进行了分析和讨论，介绍了一种高频条件下实用的IGBT驱动电路，并通过理论分析和仿真波
【机 构】
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东南大学电气工程学院,江苏爱克赛电气制造有限公司江苏扬州225131
【出 处】
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变频技术应用
【发表日期】
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2012年4期
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