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用高频电容—电压法研究GD—a—Si:H的隙态密度
用高频电容—电压法研究GD—a—Si:H的隙态密度
来源 :兰州大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liongliong512
【摘 要】
:
用高频电容——电压法(H—C—V)研完了 GD—a—si∶H 的隙态密度,得到了平带到耗尽范围内的隙态密度分布,研究了 a—Si∶H 的电子亲和势 qx_a=3.35ev 及 a—Si∶H/n—C—Si
【作 者】
:
王印月
胡著华
【出 处】
:
兰州大学学报:自然科学版
【发表日期】
:
1989年4期
【关键词】
:
异质结
隙态密度
晶硅
电压法
heterojunction
density of gap states
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用高频电容——电压法(H—C—V)研完了 GD—a—si∶H 的隙态密度,得到了平带到耗尽范围内的隙态密度分布,研究了 a—Si∶H 的电子亲和势 qx_a=3.35ev 及 a—Si∶H/n—C—Si 异质结能带图.
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