与Si工艺兼容的Si／SiGe／Si HBT研究

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lfzhou66

【摘要】

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我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si/SiGe/Si HBT结构,并已研制成功台面

【作者】

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廖小平

【机构】

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东南大学微电子中心

【出处】

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电子器件

【发表日期】

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2001年4期

【关键词】

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兼容工艺硅锗化硅异质结双极型晶体管 Si/SiGe/Si HBT compatibility with Si process

【基金项目】

：

东南大学校科研和教改项目

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我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si/SiGe/Si HBT结构,并已研制成功台面结构Si/SiGe/Si HBT和低噪声Si/SiGe/Si HBT,为进一步高指标的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础.

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