【摘 要】
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设计并制作出一种有新型保护结构的平面InP/InGaAs雪崩光电二极管。该器件在P-n结下面有一被隐埋的n-InP层和n~--InP倍增区,这样便获得了良好的保护作用。器件的整个有源区均
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设计并制作出一种有新型保护结构的平面InP/InGaAs雪崩光电二极管。该器件在P-n结下面有一被隐埋的n-InP层和n~--InP倍增区,这样便获得了良好的保护作用。器件的整个有源区均呈现均匀倍增,最大倍增因子为30,在击穿电压的90%处获得了大约20nA的低暗电流,平坦的频率响应高达1GHz。在倍增因子达到17时测试了倍增噪声。
A planar InP / InGaAs avalanche photodiode with a novel protection structure was designed and fabricated. The device under the P-n junction has a buried n-InP layer and n ~ - InP multiplication zone, thus obtaining a good protection. The device has an even doubling of the active area with a maximum multiplication factor of 30, a low dark current of about 20 nA at 90% of the breakdown voltage and a flat frequency response of up to 1 GHz. Doubling noise was tested at a multiplication factor of 17.
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