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本文利用光致发光(PL)分析快速热退火对Cu(In，Ga)Se2(CIGS)电池的影响，研究退火对薄膜缺陷的影响。Cu(In，Ga)Se2电池的PL谱中总共有7个峰，即2个可见波段峰和5个红外波段峰。退火温度较低，可减少薄膜体内缺陷，提高载流子浓度，改善薄膜质量；退火温度过高，则会引起正常格点处元素扩散，元素化学计量比改变，体内缺陷增加，吸收层带隙降低，反而会对CIGS薄膜造成破坏。