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以Sol-Gel方法制备了有PbTiO3(PT)过渡层的硅基Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属钛铂.测试了铁电薄膜的电性能,比较了两种衬底电极对铁电薄膜性能的影响及各自的优势.
硅基铁电薄膜的电性能研究
【摘 要】
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以Sol-Gel方法制备了有PbTiO3(PT)过渡层的硅基Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属钛铂.测试了铁电薄膜的电性能,比较了两种衬底电极
【机 构】
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清华大学微电子所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2001年4期
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