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利用直流反应磁控溅射技术制得N—Al共掺的P型ZnO薄膜，N2O为生长气氛．利用X射线衍射(XRD)，Hall实验，X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究．结果表明，薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量，N以N—Al键的形式存在．N—Al共掺ZnO薄膜具有优良的P型传导特性．当Al含量为0．15wt％时，共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值，载流子浓度为2．52×10^17cm，电阻率为57．3Ω·cm，Hall迁移率为0．43cm^2／(V·s)