刍议环境监测工作在环境影响评价中的应用

来源 :建筑工程技术与设计 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hyzxp01
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为了得到高击穿电压、高阈值电压的增强型GaN器件,提出了一种P型掺杂GaN(PGaN)栅极结合槽栅技术的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构。该器件的阈值电压高达3.4V,击穿电压达738V。利用Sentaurus TCAD进行仿真,对比了传统P-GaN栅与P-GaN栅结合槽栅的AlGaN/GaN/AlGaN双异质器件的阈值电压和耐压。结果表明,栅槽深度在5~13nm范围内变化时,阈值电压随栅槽深度的增大而增大,击穿电压随栅槽深度的增大呈先增大后略减小;导通电阻随槽栅深度的增大而增大,最小导通电阻为
提出了一种等效串联电容式MEMS微波功率传感器,在不影响传感器微波性能的前提下,实现了过载功率的提升。分别建立了传感器的力学模型和集总参数模型,对过载功率特性和微波特性进行了优化与分析。使用Ansys软件和Hfss软件对传感器相关参数进行了仿真,验证了文章所建立模型的准确性。结果表明,当MIM电容相对值β从1.25变化至0.8时,过载功率可提高3.43倍至6.57倍;经过优化,系统仍保持较好的微波匹配特性。该研究成果对于MEMS微波功率传感器过载功率的提高具有一定的参考价值。