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本文设计的振动传感器是一种利用锑化铟一铟(InSb—In)共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器。与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比，这种传感器的灵敏度更高、频率响应范围更宽。经实测，其提供的电信号的信噪比大于60dB。这种振动传感器适用于物体振动检测、防盗报警、振动锁、运动控制开关、自动控制开关等。