Tm：YAG晶体的生长及吸收特性

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：duoduo19851125

【摘要】

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采用提拉法生长出三种掺Tm3+浓度的Tm:YAG晶体.运用ICP-AEs测定Tm3+离子在Tm:YAG晶体中的分凝系数约为1.室温下测定了Tm:YAG晶体在190～900nm之间的吸收光谱及1000～4500cm-1范围

【作者】

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宋平新赵志伟徐晓东姜本学邓佩珍徐军

【机构】

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中国科学院上海光学精密机械研究所

【出处】

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人工晶体学报

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

Tm: YAG晶体生长工艺提拉法分凝系数吸收光谱 ICP-AES 红外可调谐激光晶体 Tm∶YAG crystal Czochralski method

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采用提拉法生长出三种掺Tm3+浓度的Tm:YAG晶体.运用ICP-AEs测定Tm3+离子在Tm:YAG晶体中的分凝系数约为1.室温下测定了Tm:YAG晶体在190～900nm之间的吸收光谱及1000～4500cm-1范围内退火前后的红外吸收谱.测试结果表明,退火后3365cm-1处OH-1离子的吸收峰完全消失.说明在空气气氛下对Tm:YAG晶体进行退火处理改善了晶体的性能.

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