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利用氨气源分子束外延(GSMBE)技术,在改型Ⅳ型分子束外延设备上生长高质量GaN单晶外延材料,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱,系统地研究GaN的发光峰及其起源,并对常见的黄色发光带现象及其微结构起因进行探讨。
高质量氮化镓材料的光致发光研究
【摘 要】
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利用氨气源分子束外延(GSMBE)技术,在改型Ⅳ型分子束外延设备上生长高质量GaN单晶外延材料,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱,系统地研究GaN的发光峰及
【机 构】
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西北大学光子学与光子技术研究所,中国科学院半导体研究所材料中心,中国科学院西安光学与精密机械研究所
【出 处】
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应用光学
【发表日期】
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2001年2期
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