【摘 要】
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采用Ga As衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺研制了一款6~10 GHz多功能微波单片集成电路(MMIC)。其集成了4个单刀双掷开关、6 bit数控移相器、6 bit数控
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室,中国电子科技集团公司第十三研究所,
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采用Ga As衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺研制了一款6~10 GHz多功能微波单片集成电路(MMIC)。其集成了4个单刀双掷开关、6 bit数控移相器、6 bit数控衰减器、3个放大器和14 bit并口驱动电路。测试结果表明:接收支路增益大于8 d B,1 d B压缩点输出功率大于3 d Bm;发射支路增益大于1 d B,1 d B压缩点输出功率大于8 d Bm。移相64态均方根误差小于3°,衰减64态均方根误差小于1 d B。在工作频带内接收和发射两种状态下,输入输出驻波比均小于1.5∶1。经过版图优化后,芯片尺寸为3.5 mm×5.1 mm。该多功能MMIC可用于微波收发组件,对传输信号进行幅相控制。
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